工作经历
1. 京东方科技集团股份有限公司中央研究院，高级研究员 2015.6~2017.6：负责项目：柔性 OLED 照明器件开发；柔性 OLED 照明器件全自动生产线设计；CNT碳纳米管 TFT 晶体管；石墨烯触控屏预研项目等；2. 南京迈塔光电科技有限公司，联合创始人&总经理 2017.3~至今：负责项目：针对石墨烯等二维材料开发转移系统、显微光电流扫描系统、显微光谱系统等多套测试设备，产品专利及软件著作权申请 11 项；公司产品客户覆盖国内外清华大学、北京大学、 南京大学、中科院物理所以及新加坡国立大学等150余所知名高校及研究单位；公司被评为江苏省民营科技企业， 科技型中小企业以及江苏省高新技术企业， 南京市规上企业、 瞪羚企业等称号。3. IYPT 青年物理学家公众号创办人， 2016 年~至今：关注人数 6 万余人， 为国内最有影响的大学生物理类学术竞赛（IYPT、 CUPT） 的赛题解析以及研究方法指导公众号。4. 南京师范大学物科院客座教授，2021年~至今；南京航空航天大学物理学院兼职研究生导师，2022年~至今；
获奖情况
- 南京大学优秀博士论文奖， 提名江苏省百篇优秀博士论文；
- 固体微结构国家重点实验室优秀研究成果奖；
- 京东方科技集团股份有限公司集团研发中心“学术达人” 奖；
- C. C. Ju (雎长城) et al, “Controlling anisotropic transport in strained3manganites by stripe domains” , Poster Award in 2012 Annual Meeting of Materials Society, Yunlin, Taiwan.
- C. C. Ju (雎长城) et al, 第十四届全国电介质物理、材料与应用学术会议最佳墙报。
- 清华大学“ 第二十四届学生实验室建设贡献奖”（物理系青年千人项目）
- 台湾交通大学“ 全球精英访问学生” 奖学金， 导师为国际知名年轻学者朱英豪教授多次参与实验室与台积电等著名企业的 RD 部门合作计划。
- 南京大学 2019 年秋季学期创业训练计划优秀项目“ 任意二维材料异质结的高效转移基片研发及其批量制造” ，校外指导教师。
学术论文及专利
- Anomalous electronic anisotropy modulated via multiferroic domain templates, Changcheng Ju, ...., Pu Yu, Elke Arenholz, Long-Qing Chen, Xiaomei Lu and Ying-Hao Chu, Advanced Materials,2016,28 (5)，影响因子31；
- Anomalous crack arrays in anisotropic-strained manganite on scandate substrates, Changcheng Ju, ..., Long-Qing Chen, Xiaomei Lu, Jinsong Zhu, Henrik Myhre Jensen, Appl. Phys. Lett. 106, 201905 (2015)
- 发明专利：量子点发光二极管及其制造方法、显示面板和显示装置；第一发明人，中国专利已授权；韩国专利授权 KR20177030762；日 本 专 利 授 权JP2017557904；
- 发明专利：晶体管、其制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置；第一发明人，中国专利CN108886101A已授权；PCT国际申请编号WO2017206439A1， 美国专利申请编号US2018219100A1，欧洲申请编号EP3465767A1；
- 发明专利：一种半导体氢气传感器及其制作方法；第一发明人，中国专利已授权；PCT国际申请编号WO2018000926A1，美国专利申请编号 US10782275B2
- 发明专利：光波导显示基板及其制备方法和显示装置；第一发明人，美国专利US2018046052A1 已授权；
- 实用新型专利：一种基于二次谐波原位监测的扭曲异质结的制备装置；第一发明人，中国实用新型专利CN211017004U 已授权；
其他专利及论文：
- Origin of magnetic anisotropy and spiral spin order ni multeiferroic BiFeO3. J. T. Zhang, X. M. Lu, J. Zhou, H. Sun , J. Su, Changcheng Ju, F. Z. Huang, and J. S. Zhu, Appl. Phys. Lett.100, 242413 (2012).
- Conductive tail-to-tail domain walls in epitaxial BiFeO 3 films. Appl. Phys. Lett. 113, 082904（2018）.
专利申请20项，其中第一发明人9项，PCT国际申请5项。
