阮敦宝

阮敦宝教授，海外优青，其主要从事半导体微纳器件开发，先进器件架构设计，先进制造工艺开发，良品率及可靠性优化的相关研究。近五年针对后摩尔时代高密度集成器件的共性工艺技术提出部分的解决方案。五年内在 IEEE Electron Device Letters等高品质国际期刊上作为第一作者累计发表 SCI 期刊23篇，多次担任IEEE Trans. Electron Devices 等高水平国际期刊的长期审稿人。